[发明专利]使用L形间隔部之非对称场效晶体管的制造和结构

摘要

本发明提供一种非对称场效晶体管(102)的制造，其需要在半导体主体的主体材料的通道区带部分(284)上方定义栅极电极(302)并且利用栅极介电层(300)与该通道区带部分垂直隔开。半导体掺杂物会使用该栅极电极作为掺杂物阻隔挡板被引入该主体材料中，用以定义一较重度掺杂的袋部(290)。间隔部(304T)会被设置在该栅极电极中。该间隔部包含：(i)位于该栅极电极中的介电部分，(ii)位于该半导体主体中的介电部分，及(iii)填充部分(SC)，其大部分会占据该等另外两个间隔部部分之间的空间。半导体掺杂物会使用该栅极电极与该间隔部作为掺杂物阻隔挡板而被引入该半导体主体中，用以定义一对主要源极/漏极部(280M与282M)。该填充间隔部部分会被移除，以便将该间隔部转换成L形状(304)。一对电气接点(310与312)会被形成，用以分别连接至该等主要源极/漏极部。

主权项

一种由具有第一导体类型的主体材料的半导体主体来制造包括场效晶体管的结构的方法，该方法包括：在该主体材料中预期要成为通道区带的部分上方定义栅极电极且利用栅极介电层将该栅极电极与该部分的主体材料垂直隔开，从而该栅极电极具有相对的第一横向侧与第二横向侧；使用该栅极电极及其横向侧中的任何材料作为掺杂物阻隔挡板将该第一导体类型的袋半导体掺杂物引入该主体材料中，用以定义该主体材料的前躯物袋部，该前驱物袋部掺杂程度重过该主体材料的横向相邻材料且实质上仅在该栅极电极的多个横向侧中的第一横向侧下方延伸；沿该栅极电极的第一横向侧中提供第一间隔部，使该第一间隔部包括(i)位于该栅极电极的第一垂直延伸介电间隔部部分、(ii)接续该第一垂直延伸间隔部部分且位于该半导体主体的第一横向延伸介电间隔部部分，以及(iii)大部分处于第一垂直延伸间隔部部分与第一横向延伸间隔部部分之间的空间的第一填充间隔部部分；接着使用该栅极电极、该第一间隔部及该栅极电极的横向侧中的任何其它材料作为掺杂物阻隔挡板将与该第一导体类型相反的第二导体类型的主要源极/漏极(S/D)半导体掺杂物引入该半导体主体中，用以定义该第二导体类型的第一主要S/D部与第二主要S/D部，使得(i)该通道区带位于该主要S/D部之间，以及(ii)该第一导体类型的另一袋部包括该前躯物袋部之至少一部分的材料且延伸到该第一主要S/D部以使得该通道区带纵向不对称；接着大部分移除该第一填充间隔部部分；以及形成分别连接至所述主要S/D部的一对电气接点。