[发明专利]对源极/漏极延伸区、晕环袋和栅极电介质厚度具有不同组态的类极性场效应晶体管的结构和制造

摘要

本发明提供一组高性能类极性绝缘栅场效应晶体管(100、108、112、116、120和124，或102、110、114、118、122和126)，该些类极性绝缘栅场效应晶体管具有适用于半导体制造平台的可选择不同组态的横向源极/漏极延伸区、晕环袋部和栅极电介质厚度，该半导体制造平台提供用于模拟应用和/或数字应用的各式各样的晶体管。每一个晶体管均有源极/漏极区带一对、栅极介电层以及栅极电极。每一个源极/漏极区带均包含主要部分及掺杂程度较轻的横向延伸区。该些晶体管其中一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区的掺杂程度重于该些晶体管中另一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区；和/或该些晶体管其中一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区相较于该些晶体管中另一个晶体管的源极/漏极区带中的一个区带的横向延伸区延伸在该上半导体表面下方比较不深的地方。

主权项

一种结构，其包括多个类极性场效应晶体管(FET)，所述FET沿着具有第一导电类型的主体材料的半导体主体的上表面进行设置，每一个FET均包括：所述主体材料的沟道区带；第一和第二源极/漏极(S/D)区带，其沿着所述半导体主体的上表面设置于所述半导体主体中、被所述沟道区带横向分离且为和第一导电类型相反的第二导电类型，以便和所述主体材料形成各自的pn结，每一个S/D区带均包括主S/D部及掺杂程度较轻的横向S/D延伸区，所述掺杂程度较轻的横向S/D延伸区横向接续所述主S/D部且横向延伸在所述栅极电极的下方，使得所述沟道区带沿着所述主体的上表面终止于所述S/D延伸区；栅极介电层，其叠置于所述沟道区带上；以及栅极电极，其叠置于所述沟道区带上方的栅极介电层上，其中(a)所述FET中第一FET的S/D区带的S/D延伸区的构造和/或组态不同于所述FET中第二FET的S/D区带的S/D延伸区，且(b)所述第一FET的S/D区带中一指定S/D区带的S/D延伸区的掺杂程度重于所述第二FET的S/D区带中一指定S/D区带的S/D延伸区。