[发明专利]化学机械研磨(CMP)浆料的使用点回收系统无效
| 申请号： | 201080013937.2 | 申请日： | 2010-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102365716A | 公开（公告）日： | 2012-02-29 |
| 发明（设计）人： | 安德烈亚斯·纽伯;菲尔·钱德勒;克利福德·斯托;丹尼尔·O·克拉克;迈克·科菲尔;加米尔·莱斯顿 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主要是关于从化学机械研磨(CMP)过程中回收研磨浆料及冲洗水的装置和方法。本发明也是关于使用离心泵来进行流变学测量及聚结预防。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 cmp 浆料 使用 回收 系统 | ||
【主权项】：
一种用于回收的装置，包括：分离单元，其包括：入口，作用是收纳用过的研磨浆料、冲洗流体及研磨废料的混合物；水出口，作用是输出第一流体以便进行废料或水回收；及浆料出口，作用是输出第二流体以便进行浆料回收研磨；以及浆料过滤单元，其包括：入口，与所述分离单元的所述浆料出口连接；一种或多种过滤介质，用来过滤或移除离子及有机物；及泵，布置在所述一种或多种过滤介质上游并用来对流体加压以使其穿过所述一个或多个薄膜；产物出口，用来输出浓缩并回收的研磨浆料流；及水出口，用于水回收或废料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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