[发明专利]用于等离子体腔室电极的RF总线与RF回流总线有效
申请号: | 201080014186.6 | 申请日: | 2010-02-13 |
公开(公告)号: | CN102365906A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 卡尔·A·索伦森;乔瑟夫·库德拉;罗宾·L·泰内;苏希尔·安瓦尔 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H05H1/36 | 分类号: | H05H1/36;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;钟强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为了将RF功率从等离子体腔室的RF输入(40)耦合至等离子体腔室的内部(11),将RF总线导体(43、44)连接在所述RF输入与等离子体腔室电极(20至26)之间。在一实施例中,RF回流总线导体(53、54)连接至所述腔室的电接地壁(14至18),且所述RF总线导体与所述RF回流总线导体具有各自的表面,所述各自的表面平行且面对彼此。在另一实施例中,所述RF总线导体具有横剖面,所述横截面具有定向为垂直于所述等离子体腔室电极的表面的最长尺度,所述表面是所述等离子体腔室电极的最接近所述RF总线导体的表面。 | ||
搜索关键词: | 用于 等离子 体腔 电极 rf 总线 回流 | ||
【主权项】:
一种将RF功率从RF输入耦合至等离子体腔室的内部的设备,所述设备包括:等离子体腔室,所述等离子体腔室具有一或多个电接地的腔室壁,且所述等离子体腔室具有与电接地绝缘的等离子体腔室电极;RF总线导体,所述RF总线导体电连接至所述RF输入,且所述RF总线导体电连接至位于所述等离子体腔室电极上的一或多个连接点,其中所述RF总线导体包括第一表面;及RF回流总线导体,所述RF回流总线导体电连接至一个所述电接地的腔室壁,其中所述RF回流总线导体包括第二表面;其中所述第一表面平行于所述第二表面且面对所述第二表面;及其中所述第一表面和第二表面以一间隔隔开,所述间隔小于所述RF总线导体与平行于所述第一表面的任何所述电接地的腔室壁之间的间隔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080014186.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。