[发明专利]原位形成的包括应变诱导合金及梯度掺杂分布的源漏区无效
| 申请号： | 201080014189.X | 申请日： | 2010-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN102388442A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | J·亨齐尔;V·帕帕耶奥尔尤;U·格里布诺 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/225;H01L21/265;H01L29/51;H01L29/165;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 可基于原位(in-situ)掺杂的应变诱导半导体合金获得晶体管的掺杂分布，其中，可沿高度方向建立梯度掺杂浓度。因此，该半导体合金可邻近沟道区设置，以提升总体的应变诱导效率，同时不会过分影响最终获得的掺杂分布。而且，可在选择性生长该半导体合金之前纳入额外的注入种类，以避免因注入引起的内部应变松弛。 | ||
| 搜索关键词： | 原位 形成 包括 应变 诱导 合金 梯度 掺杂 分布 源漏区 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在横向邻近栅极电极结构的晶体管有源區中形成开口，该栅极电极结构包括栅极介电材料、形成于该栅极介电材料上的电极材料，以及偏移侧间隙壁；在该开口中形成应变诱导半导体合金，该应变诱导半导体合金包括一掺杂种类，其沿该开口之高度方向具有不同的掺杂浓度；以及执行热处理以基于该掺杂种类的该不同掺杂浓度形成源漏延伸区，该源漏延伸区连接该晶体管的沟道区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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