[发明专利]电致发光装置无效
申请号: | 201080014241.1 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102365768A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 笠松直史 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种电致发光装置(1),所述电致发光装置(1)获得了高光发射效率、高耐久性和高提取效率。该装置包括电极(11,17);沉积在电极(11,17)之间的多个层(12至16);和在多个层(12至16)之间的发光区(14)。发光区(14)通过在电极(11,17)之间施加电场而发光。多个层(12至16)的每一层的厚度和折射率满足在电致发光装置(1)中的共振条件,使得由从发光区(14)发射的光所致的驻波(19)的电场的强度最高的区域与发光区(14)基本上重合。发光区(14)附近布置有金属构件(20),所述金属构件(20)在其表面上由发射光所致而诱导等离子体激元共振。 | ||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
【主权项】:
一种电致发光装置,所述电致发光装置包括:电极;多个层,所述多个层一个在另一个之上地沉积在所述电极之间;和在所述多个层之间的发光区,所述发光区通过在所述电极之间施加电场而发光,其中所述多个层的每一层的厚度和折射率满足在所述电致发光装置中的共振条件,使得由从所述发光区发射的光所致的驻波的电场的强度最高的区域与所述发光区基本上重合,并且其中所述发光区附近布置有金属构件,所述金属构件在其表面上由所述发射光所致而诱导等离子体激元共振。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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