[发明专利]横向结型场效应晶体管

摘要

本发明可以提供一种能够防止漏电流的发生并实现足够的耐压的横向结型场效应晶体管。在根据本发明的横向JFET(10)中，缓冲层(11)位于SiC衬底(1)的主表面上并且包含p型杂质。沟道层(12)位于缓冲层(11)上并且包含浓度比缓冲层(11)中的p型杂质的浓度更高的n型杂质。n型的源极区(15)和漏极区(16)被形成为在沟道层(12)的表面层中彼此间隔开，并且p型的栅极区(17)位于沟道层(12)的表面层中且在源极区(15)与漏极区(16)之间。阻挡区(13)位于沟道层(12)与缓冲层(11)之间的边界区中且在位于栅极区(17)下方的区域中，并且包含浓度比缓冲层(11)中的p型杂质的浓度更高的p型杂质。

主权项

一种横向结型场效应晶体管，包括：半导体衬底(1)；缓冲层(11)，所述缓冲层(11)位于所述半导体衬底(1)的主表面上并且包含第一导电类型的杂质；沟道层(12)，所述沟道层(12)位于所述缓冲层(11)上，并且该沟道层(12)包含浓度比所述缓冲层(11)中的所述第一导电类型的杂质的浓度更高的第二导电类型的杂质；源极区(15)和漏极区(16)，在所述沟道层(12)的表面层中彼此间隔开地形成所述源极区(15)和漏极区(16)，并且所述源极区(15)和漏极区(16)包含第二导电类型的杂质；栅极区(17)，所述栅极区(17)位于所述沟道层(12)的表面层中并且在所述源极区(15)与所述漏极区(16)之间，并且该栅极区(17)包含第一导电类型的杂质；以及阻挡区(13)，在位于所述栅极区(17)的下方的区域中或者在从所述栅极区(17)的下方延伸至所述源极区(15)的下方的区域中，所述阻挡区(13)被布置在所述沟道层(12)与所述缓冲层(11)之间的界面区中，并且所述阻挡区(13)包含第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质具有比所述缓冲层(11)中的所述第一导电类型的杂质的浓度更高的浓度。