[发明专利]用于制造半导体衬底的方法

摘要

在提供的用于制造半导体衬底的方法中，准备具有支撑部(30)以及第一和第二碳化硅衬底(11、12)的组合衬底(80P)。在第一和第二碳化硅衬底(11、12)之间，存在具有开口(CR)的间隙(GP)。在开口(CR)之上形成用于间隙(GP)的封闭层。该封闭层至少包括硅层。硅层被碳化以形成包括碳化硅的、在开口(CR)之上封闭间隙(GP)的盖子(70)。将来自第一和第二碳化硅衬底(11、12)的各个第一和第二侧面(S1、S2)的升华物沉积到盖子(70)之上，形成用于封闭开口(CR)的连接部。去除盖子(70)。

主权项

一种用于制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：准备组合衬底(80P)，所述组合衬底(80P)具有支撑部(30)、具有单晶结构的第一碳化硅衬底(11)以及具有单晶结构的第二碳化硅衬底(12)，所述第一碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第一背面、相对于所述第一背面相反的第一正面、以及连接所述第一背面和所述第一正面的第一侧面(S1)，所述第二碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第二背面、相对于所述第二背面相反的第二正面、以及连接所述第二背面和所述第二正面的第二侧面(S2)，所述第二侧面被设置成使得在所述第一侧面和所述第二侧面之间形成间隙(GP)，所述间隙(GP)具有在所述第一和第二正面之间的开口(CR)；形成用于在所述开口上方封闭所述间隙的封闭层，所述封闭层至少包括硅层；对所述硅层进行碳化，以形成由碳化硅制成并且在所述开口上方封闭所述间隙的盖子(70)；通过将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积到所述盖子之上，来形成用于连接所述第一和第二侧面以便封闭所述开口的连接部；以及在形成所述连接部的步骤之后，去除所述盖子。