[发明专利]横向二极管及其制造方法

摘要

可制造一种没有栅极且在二极管的掺杂区之间没有浅沟槽隔离区的具有快速开启时间、低电容和低开启电阻的作用二极管。所述作用二极管中的短传导路径允许快速开启时间，且没有栅极氧化物减少了所述作用二极管对极端电压的敏感性。所述作用二极管可实施于集成电路中来防止并减少由静电放电ESD事件导致的损坏。制造所述作用二极管是通过在硅化之前在所述二极管的掺杂区之间沉积自对准硅化物阻断物而实现。当在所述掺杂区上形成自对准硅化物层之后，移除所述自对准硅化物阻断物。

主权项

一种二极管，其包含：衬底中的用第一掺杂剂掺杂的第一掺杂区；所述衬底中的用第二掺杂剂掺杂的第二掺杂区，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂的极性相反的极性；形成于所述第一掺杂区上的第一自对准硅化物部分，所述第一自对准硅化物部分由定位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的自对准硅化物阻断掩模界定；以及形成于所述第二掺杂区上的第二自对准硅化物部分，所述第二自对准硅化物部分由所述自对准硅化物阻断掩模界定。