[发明专利]太阳能电池装置和太阳能电池装置制造方法无效
申请号: | 201080015278.6 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102379045A | 公开(公告)日: | 2012-03-14 |
发明(设计)人: | 裕谷重德 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开一种太阳能电池装置,所述太阳能电池装置配备有具有阳极氧化膜的设置绝缘层的金属基板,所述阳极氧化膜即使在受到500℃的高温之后也能够保持良好的绝缘性能,其中500℃是化合物半导体的光电转换层的制造温度。太阳能电池装置(1)由设置绝缘层的金属基板(10)和形成在基板(10)上的光电转换电路形成,所述光电转换电路包括光电转换层(30)、上电极(50)和下电极(20)。基板(10)由金属基板(14)和多孔Al阳极氧化膜构成。金属基板(14)由基底材料(13)和Al材料(11)形成,所述基底材料由与Al相比具有较高刚度、高耐热性和较小线性热膨胀系数的金属形成,所述Al材料通过压力粘结与所述基底材料的至少一个表面成一体,并且多孔Al阳极氧化膜形成在Al材料(11)的表面上。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 装置 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具有由化合物半导体形成的光电转换层的太阳能电池装置,所述太阳能电池装置包括:设置绝缘层的金属基板,所述设置绝缘层的金属基板由金属基板和多孔Al阳极氧化膜构成,所述金属基板由基底材料和Al材料形成,所述基底材料由与Al相比具有较高刚度、较高耐热性和较小线性热膨胀系数的金属形成,所述Al材料通过压力粘结与所述基底材料的至少一个表面成一体,并且所述多孔Al阳极氧化膜作为电绝缘层形成在所述金属基板的Al材料的表面上;和光电转换电路,所述光电转换电路包括所述光电转换层、上电极和下电极,所述上电极和所述下电极分别设置在所述光电转换层的上侧和下侧,所述光电转换电路形成在设置绝缘层的金属基板上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的