[发明专利]成形物、成形物的制备方法、电子装置元件和电子装置有效
| 申请号： | 201080015944.6 | 申请日： | 2010-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN102387921A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 星慎一;近藤健;上村和惠;铃木悠太 | 申请（专利权）人： | 琳得科株式会社 |
| 主分类号： | B32B27/00 | 分类号： | B32B27/00;C08J7/00;C23C14/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李进;李炳爱 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种成形体，其特征在于具有通过将烃化合物的离子注入到含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。本发明也公开了：所述成形物的制备方法，所述方法包括将烃化合物的离子注入成形体的含聚有机硅氧烷化合物的层的表面部分的步骤，所述成形体在表面具有含聚有机硅氧烷化合物的层；一种由所述成形物组成的电子装置元件；和一种提供有所述电子装置元件的电子装置。因此，本发明提供：具有优良的阻气性质、透明度、弯曲性质、抗静电性质和表面平滑性的成形体；所述成形物的制备方法；由所述成形体组成的电子装置元件和提供有所述电子装置元件的电子装置。 | ||
| 搜索关键词： | 成形 制备 方法 电子 装置 元件 | ||
【主权项】：
一种成形物，所述成形物包含通过将烃化合物的离子注入含聚有机硅氧烷化合物的层得到的层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社，未经琳得科株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080015944.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
