[发明专利]制造半导体衬底的方法

摘要

加热多个碳化硅衬底(10)和支撑部(30)。将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述支撑部(30)的方向上从所述多个碳化硅衬底(10)延伸的第一空间中，所述第一辐射平面(RP1)面对所述多个碳化硅衬底(10)。将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于一个平面(PL1)并且远离所述多个碳化硅衬底(10)的方向上从所述支撑部(30)延伸的第二空间中，所述第二辐射平面(PR2)面对所述支撑部(30)。将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，沿着一个平面(PL1)从所述多个碳化硅衬底(10)之间的间隙(GP)延伸的第三空间中，所述第三辐射平面(RP3)面对所述多个碳化硅衬底(10)。

主权项

一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：准备具有第一和第二碳化硅衬底(11，12)的多个碳化硅衬底(10)以及支撑部(30)，所述第一碳化硅衬底具有面对所述支撑部并且位于一个平面(PL1)上的第一背面、相对于所述第一背面相反的第一正面、以及将所述第一背面和所述第一正面彼此连接的第一侧面，所述第二碳化硅衬底具有面对所述支撑部并且位于所述一个平面上的第二背面、相对于所述第二背面相反的第二正面、以及将所述第二背面和所述第二正面彼此连接的第二侧面，所述第二侧面被布置成使得在所述第二侧面和所述第一侧面之间形成间隙(GP)，所述间隙(GP)具有在所述第一和第二正面之间的开口；以及加热所述支撑部以及所述第一和第二碳化硅衬底，以从所述第一和第二侧面产生升华物，并由此形成封闭所述开口的接合部，所述的加热步骤包括以下步骤：将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于所述一个平面并且远离所述支撑部的方向上从所述多个碳化硅衬底延伸的第一空间(SP1)中，所述第一辐射平面面对所述多个碳化硅衬底，将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于所述一个平面并且远离所述多个碳化硅衬底的方向上从所述支撑部延伸的第二空间(SP2)中，所述第二辐射平面面对所述支撑部，以及将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，在沿着所述一个平面从所述间隙延伸的第三空间(SP3)中，所述第三辐射平面面对所述多个碳化硅衬底。