[发明专利]In-Ga-Zn系氧化物、氧化物烧结体以及溅射靶有效
| 申请号： | 201080016347.5 | 申请日： | 2010-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN102395542A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 矢野公规;糸濑将之;川岛浩和 | 申请（专利权）人： | 出光兴产株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C01G15/00;C04B35/00;C23C14/34;H01L21/203;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 翟赟琪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种氧化物，其含有铟元素(In)、镓元素(Ga)以及锌元素(Zn)，通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角(2θ)为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处观测到衍射峰，并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。 | ||
| 搜索关键词： | in ga zn 氧化物 烧结 以及 溅射 | ||
【主权项】：
一种氧化物，其含有铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn，通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角2θ为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处能观测到衍射峰，并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。
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