[发明专利]检测晶片上的缺陷有效
| 申请号： | 201080016422.8 | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102396058A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | J·黄;Y·张;S·陈;T·罗;L·高;R·沃林福德 | 申请（专利权）人： | 恪纳腾公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/88 |
| 代理公司： | 北京嘉和天工知识产权代理事务所 11269 | 代理人： | 严慎 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了用于检测晶片上的缺陷的方法和系统。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 晶片 缺陷 | ||
【主权项】：
一种计算机实现的方法，所述方法用来检测晶片上的缺陷，所述方法包括：获取由检查系统针对晶片产生的原始输出；识别与所述晶片上形成的图案化特征的一个或更多个几何特性对应的所述原始输出的一个或更多个特性；基于识别出的所述原始输出的一个或更多个特性，将所述原始输出中的单个输出分配到不同部分，使得与所述不同部分中的各部分对应的所述图案化特征的一个或更多个几何特性是不同的；将一个或更多个缺陷检测参数单独分配到所述不同部分；以及将分配的所述一个或更多个缺陷检测参数应用于被分配到所述不同部分的所述单个输出，由此检测所述晶片上的缺陷。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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