[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201080016444.4 | 申请日： | 2010-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN102396070A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 中野佑纪 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成；第二导电型的主体区域，其形成于所述半导体层的表层部；栅沟道，其通过从所述半导体层的表面下挖而形成，且底面形成于所述半导体层的所述主体区域的下方的部分；第一导电型的源区域，其在所述主体区域的表层部与所述栅沟道的侧面相邻而形成；栅绝缘膜，其形成于所述栅沟道的所述底面及所述侧面上，且所述底面上的部分的厚度大于所述侧面上的部分的厚度；栅电极，其经由所述栅绝缘膜埋设于所述栅沟道；注入层，其通过第二导电型杂质的注入而形成于所述半导体层的从所述栅沟道的底面至所述半导体层的厚度方向中途部的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：第一导电型的半导体层，其由SiC构成；第二导电型的主体区域，其形成于所述半导体层的表层部；栅沟道，其通过从所述半导体层的表面下挖而形成，且底面形成于所述半导体层的所述主体区域的下方的部分；第一导电型的源区域，其在所述主体区域的表层部与所述栅沟道的侧面相邻地形成；栅绝缘膜，其形成于所述栅沟道的所述底面及所述侧面上，且所述底面上的部分的厚度大于所述侧面上的部分的厚度；栅电极，其隔着所述栅绝缘膜埋设于所述栅沟道；注入层，其通过第二导电型杂质的注入而形成于所述半导体层的从所述栅沟道的底面至所述半导体层的厚度方向中途部的部分。
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