[发明专利]半导体基板的电气特性的测量方法无效
| 申请号： | 201080016486.8 | 申请日： | 2010-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN102396059A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 福原升;秦雅彦 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N27/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种测量方法，用于测量包含基底基板及缓冲层的半导体基板的空穴或电子的移动所致的漏电流或提供绝缘击穿电压。具体是，该测量方法测量具有基底基板，及在基底基板上设置的缓冲层的半导体基板的漏电流或绝缘击穿电压，具有：在缓冲层设置含有由被施加电场时对缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从多个电极选择出的含有至少一个空穴注入电极的第1一对电极施加电压或电流时在第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压的步骤；根据第1一对电极中流动的电流及第1一对电极间的电压，测量半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或测量绝缘击穿电压的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 电气 特性 测量方法 | ||
【主权项】：
一种测量方法，是用于测量具有基底基板和在所述基底基板上设置的缓冲层的半导体基板中的漏电流或绝缘击穿电压的测量方法，具有：在所述缓冲层设置含有由被施加电场时在所述缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；测量对从所述多个电极选择出的含有至少一个所述空穴注入电极的第1一对电极施加了电压或电流时在所述第1一对电极中流动的电流或所述第1一对电极间的电压的步骤；以及根据在所述第1一对电极中流动的电流或所述第1一对电极间的电压，测量所述半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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