[发明专利]半导体装置及其制造方法

摘要

一种具有P型Si基板(101)和ESD保护元件(1A)和被保护元件(1B)的半导体装置(1)，ESD保护元件(1A)具有源极N型扩散区域(107A)和高浓度P型扩散区域(103)，该高浓度P型扩散区域覆盖源极N型扩散区域(107A)，从源极N型扩散区域(107A)的下方一直形成到栅极电极(106A)的下方，并且P型杂质浓度高于P型Si基板(101)的基本区域，被保护元件(1B)具有漏极N型扩散区域(108B)和与漏极N型扩散区域(108B)相接的低浓度P型扩散区域(104)，ESD保护元件(1A)的漏极电极(112A)和被保护元件(1B)的漏极电极(112B)相连接，高浓度P型扩散区域(103)的P型杂质浓度高于低浓度P型扩散区域(104)。

主权项

一种半导体装置，具有：第2导电型的半导体基板；由使用所述半导体基板的晶体管元件构成的内部电路；以及保护电路，该保护电路是使用所述半导体基板的晶体管元件，并且针对静电放电来保护所述内部电路，所述保护电路具有：形成于所述半导体基板上并被接地的第1栅极电极；以及在所述半导体基板上在所述第1栅极电极的两侧分离地形成的第1电极和被接地的第2电极，所述保护电路包括：第1扩散区域，在所述半导体基板内与所述第2电极相接，并且是与第2导电型为相反导电型的第1导电型；以及第2扩散区域，在所述半导体基板内覆盖所述第1扩散区域，从所述第1扩散区域的下方一直形成到至少所述第1栅极电极的下方的一部分，并且第2导电型的杂质浓度高于所述半导体基板的基本区域，并被接地成为与所述第1扩散区域相同的电平，所述内部电路具有：形成于所述半导体基板上的第2栅极电极；以及在所述半导体基板上在所述第2栅极电极的两侧分离地形成的第3电极和第4电极，所述内部电路包括：第3扩散区域，在所述半导体基板内形成于所述第3电极的下方，并且是第3导电型；以及第4扩散区域，该第4扩散区域是在所述半导体基板内，与所述第3扩散区域相接的区域之中第2导电型的杂质浓度最高的区域，所述第3电极与所述第1电极连接，所述第2扩散区域的第2导电型的杂质浓度高于所述第4扩散区域。