[发明专利]具有自对准垂直LDD和背面漏极的LDMOS有效
| 申请号： | 201080016769.2 | 申请日： | 2010-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN102396071A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 布鲁斯·D·马钱特;丹尼尔·M·金泽 | 申请（专利权）人： | 飞兆半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种场效应晶体管，包括：具有上表面和下表面的第一导电类型的半导体区，半导体区的下表面在衬底上延伸并且与衬底邻接。第二导电类型的阱区设置在半导体区内。该场效应晶体管还包括放置在阱区内的第一导电类型的源区以及在每个阱区上延伸并且与对应的一个源区重叠的栅电极。每个栅电极通过栅极电介质与下部的阱区绝缘。在每两个邻近阱区之间的半导体区中设置了第一半导体类型的至少一个LDD区，使得该至少一个LDD区与之间设置该该至少一个LDD区的两个邻近阱区相接触。下沉区设置在该至少一个LDD区正下方的半导体区中，使得该至少一个LDD区和下沉区在半导体区的上表面和下表面之间沿着垂直方向设置。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 对准 垂直 ldd 背面 ldmos | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：第一导电类型的半导体区，具有上表面和下表面，所述半导体区的所述下表面在衬底上延伸并且与所述衬底邻接；第二导电类型的阱区，设置在所述半导体区内；所述第一导电类型的源区，设置在所述阱区中；栅电极，在每个阱区上延伸并且与对应的一个所述源区重叠，每个栅电极通过栅极电介质与下层阱区绝缘；所述第一半导体类型的至少一个LDD区，设置在每两个邻近阱区之间的半导体区中，使得所述至少一个LDD区与之间设置所述至少一个LDD区的所述两个邻近阱区相接触；以及下沉区，设置在所述至少一个LDD区正下方的所述半导体区中，使得所述至少一个LDD区和所述下沉区在所述半导体区的上下表面之间沿着垂直方向设置，所述下沉区具有比所述至少一个LDD区高的掺杂浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于飞兆半导体公司，未经飞兆半导体公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080016769.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种新型笔记本电脑桌
- 下一篇：可锁定升降机构
- 同类专利
- 专利分类
