[发明专利]特征在于锥形沉积室中密度优化的HULA衬底支架的剥离沉积系统有效
申请号: | 201080016830.3 | 申请日: | 2010-04-22 |
公开(公告)号: | CN102405302A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | P·常;G·华莱士 | 申请(专利权)人: | 磁性流体技术(美国)公司 |
主分类号: | C23C14/00 | 分类号: | C23C14/00 |
代理公司: | 北京金阙华进专利事务所(普通合伙) 11224 | 代理人: | 陈建春 |
地址: | 美国新罕*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种使用剥离工艺的气相沉积装置,该装置包括:蒸发源;安装成绕通过蒸发源的第一轴旋转的空间框架;安装到所述空间框架上的中央穹顶状晶片支架,其中中央穹顶状晶片支架的中心点与所述第一轴对准;安装到所述空间框架上的轨道穹顶状晶片支架,轨道穹顶状晶片支架处于偏离第一轴的位置并可绕通过该轨道穹顶状晶片支架的中心点和蒸发源的第二轴旋转;及中央穹顶状晶片支架和轨道穹顶状晶片支架上的多个晶片位置,其中每一晶片位置均偏离第一轴和第二轴,多个晶片位置中的每一个构造成将安装于其中的晶片的衬底表面定向成在绕第一轴和第二轴旋转期间与从晶片位置延伸到蒸发源的径向轴正交。 | ||
搜索关键词: | 特征 在于 锥形 沉积 密度 优化 hula 衬底 支架 剥离 系统 | ||
【主权项】:
一种使用剥离工艺通过蒸发将材料沉积在衬底上的设备,所述设备包括:锥形外壳,该锥形外壳具有圆顶、底部开口和从圆顶朝向底部开口收敛的侧壁;蒸发源,该蒸发源邻近所述底部开口定位并与延伸通过圆顶的中心点的第一轴对准;位于蒸发源上方并邻近圆顶的中央穹顶状件,该中央穹顶状件具有与第一轴对准的中心点,其中该中央穹顶状件绕中心点旋转;一个或多个轨道穹顶状件,所述轨道穹顶状件位于蒸发源上方并邻近圆顶且处于距圆顶中心点恒定半径处,其中一个或多个穹顶状件绕第一轴旋转,及其中每一轨道穹顶状件同时绕延伸通过该轨道穹顶状件的中心点的第二轴旋转,一个或多个轨道穹顶状件的直径和凹面均与中央穹顶状件相等;位于蒸发源和中央穹顶状件之间的均匀性掩模,该均匀性掩模操作上保证仅与中央穹顶状件一起使用;及一个或多个晶片接收位置,位于一个或多个轨道穹顶状件和中央穹顶状件中的每一个内,用于在其中接收晶片。
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