[发明专利]制造碳化硅衬底的方法无效
| 申请号： | 201080016844.5 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102395715A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;佐佐木信;原田真;冲田恭子;井上博挥;藤原伸介;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 准备至少一个单晶衬底(11)和支撑部(30)，每个单晶衬底具有背面(B1)并且由碳化硅制成，所述支撑部具有主面(FO)并且由碳化硅制成。在这个准备步骤中，通过机械加工来形成所述背面(B1)和所述主面(FO)中的至少一个。通过这个形成步骤，在所述背面(B1)和所述主面(FO)中的至少一个上形成具有晶体结构变形的表面层。至少部分地去除所述表面层。在这个去除步骤之后，将所述背面(B1)和所述主面(FO)彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：准备至少一个单晶衬底(11)和支撑部(30)，每个所述单晶衬底(11)具有背面(B1)并且由碳化硅制成，所述支撑部(30)具有主面(F0)并且由碳化硅制成，所述准备步骤包括通过机械加工形成所述背面和所述主面中的至少一个的步骤，并且通过所述形成步骤在所述背面和所述主面中的至少一个上形成晶体结构中具有畸变的表面层，所述方法还包括以下步骤：至少部分地去除所述表面层；以及在所述的去除步骤之后，将所述背面和所述主面彼此连接。
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