[发明专利]溅射靶材料、其制备方法、及使用其制备的薄膜有效
| 申请号： | 201080017054.9 | 申请日： | 2010-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN102405303A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 岸田敦;泽田俊之 | 申请（专利权）人： | 山阳特殊制钢株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;B22F3/15;C22C19/05;G11B5/851 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李新红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料、其方法及用其制备的薄膜，其中，向Ni-W-系合金添加Cr使得能够在使中间层中的晶粒在保持结晶性的同时显著微细化。本发明的溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 材料 制备 方法 使用 薄膜 | ||
【主权项】：
一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其中所述溅射靶材料由Ni‑W‑Cr合金制成，所述Ni‑W‑Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni。
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