[发明专利]碳化硅单晶的制造装置和碳化硅单晶的制造方法无效
| 申请号： | 201080017131.0 | 申请日： | 2010-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN102395716A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 奥野宪一郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社普利司通 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/06 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了碳化硅单晶的制造装置(1)，其包括：反应容器主体(11)，上部开口且于底部(11a)容纳升华用原料(50)；和盖体(12)，覆盖该反应容器主体(11)的上部开口(11b)；和筒状的引导构件(70)，设置在上述反应容器主体(11)内，在晶种(60)生长形成碳化硅单晶时引导该碳化硅单晶生长。引导构件(70)以可分离成第1分割体和第2分割体的方式构成。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 制造 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶的制造装置，其特征在于，其包括：反应容器主体，上部开口，于底部容纳升华用原料；和盖体，覆盖该反应容器主体的上部开口，并且在背面侧配设晶种；和筒状的引导构件，设置在所述反应容器主体内，将所述升华用原料升华而得到的原料气体引导至晶种，并且在所述晶种生长形成碳化硅单晶时引导碳化硅单晶生长，所述引导构件由多个分割体构成。
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