[发明专利]包括受控的铜吸收量的光伏装置有效
申请号: | 201080017475.1 | 申请日: | 2010-02-19 |
公开(公告)号: | CN102405526A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | 安克·阿肯 | 申请(专利权)人: | 第一太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘灿强 |
地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 光伏电池可以包括具有铜掺杂半导体层的基板。可以利用盐介入掺杂步骤。 | ||
搜索关键词: | 包括 受控 吸收 装置 | ||
【主权项】:
一种制造光伏装置的方法,所述方法包括:沉积半导体层;和用氯化铜和含氮氯化物的混合物掺杂所述半导体层。
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