[发明专利]用于高深宽比的电介质蚀刻的方法及装置

摘要

提供了用于蚀刻高深宽比的特征的设备。提供了等离子体处理室，其包括形成等离子体处理室封壳的室壁、下电极、上电极、进气口和出气口。高频射频(RF)功率源电气连接到至少一个上电极或下电极。偏置功率源系统电气连接到上电极和下电极，其中偏置功率源系统能够提供相对于上电极和下电极幅值为至少为500伏的偏压，其中相对于下电极的偏压被间歇性脉冲化。气体源与进气口流体连接。控制器可控地连接气体源、高频射频功率源和偏置功率源系统。

主权项

一种用于在电介质层蚀刻高深宽比的特征的设备，其包括：等离子体处理室，其包括：形成所述等离子体处理室封壳的室壁；用于为所述等离子体处理室封壳提供功率的支持基板的下电极；用于为在所述下电极之上间隔开的所述等离子体处理室封壳提供功率的上电极；用于提供气体到所述等离子体处理室封壳的进气口；和用于从所述等离子体处理室封壳排出气体的出气口；高频射频功率源，其电气连接到所述上电极或所述下电极中的至少一个上；偏置功率源系统，其电气连接到所述上电极和所述下电极，其中所述偏置功率源系统能够提供幅值为至少500伏的偏压至所述上电极和所述下电极，其中至所述上电极的所述偏压产生二次电子，其中至所述下电极的所述偏压被脉冲化，以用所述二次电子间歇性塌陷产生的等离子体鞘层；与所述进气口流体连接的气体源，其包括电介质蚀刻气体源；控制器，其可控地连接到所述气体源、所述高频射频功率源和所述偏置功率源系统。