[发明专利]一种用于制备具有局部开口的电介质层的半导体装置特别是太阳能电池的方法以及相应的半导体装置无效

申请号：	201080017637.1	申请日：	2010-04-20
公开（公告）号：	CN102405528A	公开（公告）日：	2012-04-04
发明（设计）人：	特赫旦·巴巴拉;哈泽·费力克斯;诺伊贝特·托比亚斯	申请（专利权）人：	太阳能研究所股份有限公司
主分类号：	H01L31/0224	分类号：	H01L31/0224;B23K26/18;B23K26/40;H01L31/20;B23K26/00;H01L31/04;H01L21/268;H01L31/18
代理公司：	北京市隆安律师事务所 11323	代理人：	权鲜枝
地址：	德国埃***	国省代码：	德国;DE
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明涉及用于制备半导体装置(100)的方法和相应的半导体装置。上述制备方法包括如下步骤：提供硅衬底(1)；在上述硅衬底(1)的表面上形成由非晶硅构成的第一层(3)；在上述第一层(3)上形成由电介质构成的第二层(5)；和通过用激光(7)照射上述硅衬底(1)和位于其上的层(3，5)，在烧蚀区域(9)局部地去除上述第二层(5)。上述激光(7)主要在上述非晶硅层(3)中被吸收，其中非晶硅的蒸发引起位于非晶硅上方的上述电介质层(5)的烧蚀。然而，上述非晶硅层(3)没有被完全去除。剩余层保留并用于与上述硅衬底(1)可靠地形成电接触。
搜索关键词：	一种用于制备具有局部开口电介质半导体装置特别是太阳能电池方法以及相应
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【主权项】：

一种用于制备半导体装置特别是太阳能电池的方法，上述方法包括：提供硅衬底(1)；在上述硅衬底(1)的表面上形成由非晶硅构成的第一层(3)；在上述第一层(3)上形成由电介质构成的第二层(5)；和通过用激光(7)照射上述硅衬底(1)和位于其上的层(3，5)，在烧蚀区域(9)局部地去除上述第二层(5)。

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