[发明专利]碳纳米管导电膜以及用于制造其的方法无效
| 申请号： | 201080018025.4 | 申请日： | 2010-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102414761A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 郑多情;方闰荣 | 申请（专利权）人： | 拓普纳诺斯株式会社 |
| 主分类号： | H01B1/04 | 分类号： | H01B1/04;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 李丙林;张英 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管导电膜以及用于制造其的方法。根据本发明的一个优选实施方式的碳纳米管导电膜包括：基层、碳纳米管电极层、以及保护层。碳纳米管电极层形成在基层上。保护层形成在碳纳米管电极层上并包含陶瓷粘合剂，在陶瓷粘合剂中极性反应基结合于具有疏水反应基作为侧链的骨架的另一个侧链上。本发明涉及制造具有提高的耐久性的碳纳米管透明导电膜，其中没有降低导电膜的传导性。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 导电 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管导电膜，包括：基层；形成在所述基层上的碳纳米管电极层；以及保护层，所述保护层形成在所述碳纳米管电极层上并且包含陶瓷粘合剂。
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