[发明专利]用激光能照射半导体材料表面的方法和设备有效
| 申请号： | 201080018227.9 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102413986A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 茱利安·温特维尼;布鲁诺·戈达德;西里尔·迪唐;马克·布基亚 | 申请（专利权）人： | 爱克西可法国公司 |
| 主分类号： | B23K26/04 | 分类号： | B23K26/04;B23K26/073;B23K26/08;B23K26/40;B23K26/00;H01L21/20;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 法国热*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 本发明涉及照射半导体材料的方法，其包括：选择半导体材料层表面的区域(a)，此区域(a)具有区域尺寸；用具有束光斑尺寸(b)的准分子激光器照射半导体材料层表面的区域(a)；并且调节此束光斑尺寸(b)；其中调节束光斑尺寸(b)包括使束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。本发明还涉及照射半导体材料的设备，包括：准分子激光器，用于照射半导体层表面的选择区域(a)；此激光器具有针对具有区域尺寸的选择区域(a)的激光束光斑尺寸(b)；和用于调节激光束光斑尺寸的装置；其中用于调节激光束光斑尺寸(b)的装置适用于使激光束光斑尺寸(b)可变地匹配选择区域的尺寸(a)。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 照射 半导体材料 表面 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种照射半导体材料的方法，包括：‑选择半导体材料层表面的区域，所述区域具有区域尺寸；‑用具有束光斑尺寸的准分子激光器照射所述半导体材料层表面的所述区域；‑并且调节所述束光斑尺寸；其特征在于，调节所述束光斑尺寸包括使所述束光斑尺寸可变地匹配所选择的区域的尺寸。
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