[发明专利]半导体元件及制作半导体元件的方法无效
| 申请号： | 201080018398.1 | 申请日： | 2010-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN102414848A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 德山慎司;足立真宽;京野孝史;斋藤吉广 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 谢丽娜;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供半导体元件，在相对c面倾斜的p型主面中具有良好的欧姆接触。p型半导体区域(13)的主面(13a)沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴(<0001>轴)倾斜的平面延伸。金属层(15)设置于p型半导体区域(13)的主面(13a)上。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，因此由六方晶系III族氮化物构成的主面(13a)比六方晶系III族氮化物的c面更易被氧化。金属层(15)与p型半导体区域(13)以形成界面(17)的方式层积而构成非合金电极。避免形成用作电极的金属层(15)后的合金化引起的氧化物增加。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制作 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件，其特征在于，具有非合金电极，并且包括：p型半导体区域，其由六方晶系III族氮化物构成，该p型半导体区域具有主面，该主面沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴倾斜的平面延伸，而不同于该六方晶系III族氮化物的c面；以及金属层，设于上述p型半导体区域的上述主面上，上述六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，上述金属层与上述p型半导体区域以形成界面的方式层积，构成非合金电极。
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