[发明专利]发光二极管以及用于制造发光二极管的方法无效
| 申请号： | 201080018556.3 | 申请日： | 2010-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN102414849A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 文森特·格罗利尔;马格纳斯·阿尔斯泰特;米卡埃尔·阿尔斯泰特;迪特尔·艾斯勒 | 申请（专利权）人： | 欧司朗光电半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/44;H01L33/50;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王萍;李春晖 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提出了一种发光二极管，具有：-半导体本体(1)，其中半导体本体(1)包括设计用于产生辐射的有源区(11)，-支承体本体(2)，其在半导体本体(1)的上侧(1a)上固定在半导体本体(1)上，其中支承体本体(2)包括发光转换材料，尤其是由陶瓷发光转换材料构成的发光转换材料，-镜层(3)，其在半导体本体(1)的背离上侧(1a)的下侧(1b)上施加到半导体本体(1)上，以及-两个接触层(4a，4b)，其中接触层的第一接触层(4a)与半导体本体(1)的n导电区域(13)连接，而接触层的第二接触层(4b)与半导体本体(1)的p导电区域(12)导电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，具有：‑半导体本体(1)，其中半导体本体(1)包括设计用于产生辐射的有源区(11)，‑支承体本体(2)，其在半导体本体(1)的上侧(1a)上固定在半导体本体(1)上，其中支承体本体(2)包括发光转换材料，尤其是由陶瓷发光转换材料构成，‑镜层(3)，其在半导体本体(1)的背离上侧(1a)的下侧(1b)上施加到半导体本体(1)，以及‑两个接触层(4a，4b)，其中所述接触层的第一接触层(4a)与半导体本体(1)的n导电区域(13)连接，而所述接触层的第二接触层(4b)与半导体本体(1)的p导电区域(12)导电连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欧司朗光电半导体有限公司，未经欧司朗光电半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080018556.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种节能软启动路灯控制系统
- 下一篇：一种双模通信终端的切换方法及系统
