[发明专利]具有低ESL和低ESR的带引线的多层陶瓷电容器有效
申请号: | 201080018582.6 | 申请日: | 2010-03-26 |
公开(公告)号: | CN102422369A | 公开(公告)日: | 2012-04-18 |
发明(设计)人: | 约翰·E·麦康奈尔;雷吉·菲利浦斯;艾伦·P·韦布斯特;约翰·巴尔蒂图德;马克·R·拉普斯;朗尼·G·琼斯;加里·伦纳 | 申请(专利权)人: | 凯米特电子公司 |
主分类号: | H01G4/12 | 分类号: | H01G4/12;H01G4/005 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 陈源;张天舒 |
地址: | 美国南*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种多层陶瓷电容器,其具有至少一个芯片,该芯片具有处于平行间隔关系的第一贱金属片和处于平行间隔关系的第二贱金属片,其中第一贱金属片和第二贱金属片彼此交错。电介质置于第一贱金属片和第二贱金属片之间,并且该电介质具有第一热膨胀系数。第一端子与第一贱金属片电接触,第二端子与第二贱金属片电接触。引线框附接至所述端子并与端子电接触,其中引线框具有第二热膨胀系数,并且第二热膨胀系数高于所述第一热膨胀系数。引线框为非铁材料。 | ||
搜索关键词: | 具有 esl esr 引线 多层 陶瓷 电容器 | ||
【主权项】:
一种多层陶瓷电容器,包括:至少一个芯片,具有:处于平行间隔关系的第一贱金属片,处于平行间隔关系的第二贱金属片,其中第一贱金属片和第二贱金属片彼此交错;电介质,其置于第一贱金属片和第二贱金属片之间;第一端子,其与所述第一贱金属片电接触;和第二端子,其与所述第二贱金属片电接触,其中所得的电介质、金属片、第一端子和第二端子的组合形成具有第一热膨胀系数的多层陶瓷电容器;第一引线框,其附接至所述第一端子并与第一端子电接触,其中所述第一引线框具有第二热膨胀系数,并且第二热膨胀系数高于所述第一热膨胀系数;和第二引线框,其附接至所述第二端子并与第二端子电接触,其中所述第二引线框具有第三热膨胀系数,并且第三热膨胀系数高于所述第一热膨胀系数;并且其中所述第一引线框和第二引线框中的至少一个是非铁材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯米特电子公司,未经凯米特电子公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201080018582.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种车门导轨结构
- 下一篇:一种迷你型家居环境装饰型喷泉