[发明专利]升级冶金级硅材料提纯的过程控制无效
| 申请号： | 201080018680.X | 申请日： | 2010-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102498062A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | K·欧纳杰拉;M·瓦莱蕾西亚卡;A·儒伊尼;M·霍伊尔;O·西德克海尔;A·布洛斯;F·基施特 | 申请（专利权）人： | 卡利太阳能有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/02 | 分类号： | C01B33/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;孙向民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于UMG-Si提纯的过程控制方法，其执行熔化UMG-Si的定向固化以形成硅锭。所述锭被分割为多个块，并映射每个硅块的电阻率分布。基于电阻率映射，计算用于去除定向固化过程中浓缩和捕捉在锭中的杂质的剪切线。然后，通过沿着块的计算的剪切线剪切每个块，去除浓缩的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 升级 冶金 材料 提纯 过程 控制 | ||
【主权项】：
一种UMG‑Si提纯方法，所述方法包括以下步骤：执行熔化UMG‑Si的定向固化，以形成硅锭；将所述硅锭分割为多个块；映射所述多个块的每一个的电阻率分布；为所述多个块的每一个计算剪切线，以便基于所述电阻率映射去除浓缩的杂质；以及沿着所述剪切线剪切所述多个块的每一个。
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