[发明专利]具有后表面反射器的双面太阳能电池无效
申请号: | 201080019116.X | 申请日: | 2010-04-19 |
公开(公告)号: | CN102549765A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | M·卡斯;P·鲍敦;K·欧纳杰拉;A·克伦茨尔;A·布洛斯;F·G·基施特 | 申请(专利权)人: | 卡利太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;孙向民 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供一种简化制造方法和所形成的双面太阳能电池(BSC),该简化制造方法降低了制造成本。BSC包括后表面触点网格(113)和覆盖的覆盖金属反射器(117)。掺杂非晶硅层插入触点网格和覆盖层之间。 | ||
搜索关键词: | 具有 表面 反射 双面 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种制造双面太阳能电池(BSC)的方法,所述方法包括以下步骤:在具有第一导电类型的硅衬底的后表面上沉积具有所述第一导电类型的掺杂物,以形成后表面掺杂区;在所述后表面掺杂区上沉积后表面电介质;在所述硅衬底的前表面上形成具有第二导电类型的活动区,所述形成步骤包括热扩散步骤,其中所述方法包括单一的热扩散步骤;蚀刻所述活动区;将前表面钝化和防反射(AR)介电层沉积到所述活动区上;施加后表面触点网格;施加前表面触点网格;烧制所述后表面触点网格;烧制所述前表面触点网格;将非晶硅层沉积到所述后表面触点网格和所述后表面电介质上,其中所述非晶硅层掺杂有具有所述第一导电类型的第二掺杂物;在所述非晶硅层上沉积金属层;以及隔离所述活动区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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