[发明专利]激光反射掩模以及其制造方法有效
| 申请号： | 201080019238.9 | 申请日： | 2010-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN102414787A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 尹炯列;朴来黄;金秀澯;李赞九;金庸文 | 申请（专利权）人： | WI-A株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种激光反射掩模以及其制造方法，更详细地说，涉及下述的激光反射掩模以及其制造方法，其在激光束的反射区域形成预定深度的反射膜填充凹槽的基板上部依次重复层叠具有不同反射率的反射膜之后，通过进行化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，CMP)工序，或者通过进行利用激光束照射或者蚀刻溶液的剥离(Lift-off)工序，除了填充在反射膜填充凹槽中的部分以外，对层叠在其他区域上的反射膜进行去除，从而形成填充在凹槽中的反射膜图案，使得掩模的制造工序变为容易，同时可以形成精确的图案。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 反射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种激光反射掩模，其特征在于，包括；基板，其在激光束的反射区域形成预定深度的反射膜填充凹槽；以及反射膜图案，其被填充在上述反射膜填充凹槽中，其中，上述反射膜图案通过交替重复层叠由二氧化硅膜形成的第一反射膜和反射率比第一反射膜高的第二反射膜而构成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于WI-A株式会社，未经WI-A株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201080019238.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
