[发明专利]制造多晶硅薄膜的方法

摘要

根据本发明的制造多晶硅薄膜的方法包含：用于在绝缘衬底上形成金属层的金属层形成步骤；用于在所述金属层形成步骤期间所形成的金属层上层压硅层的第一硅层形成步骤；用于执行热处理以允许催化剂金属原子从所述金属层转移到所述硅层来形成硅化物层的第一热处理步骤；用于在所述硅化物层上层压非晶形硅层的第二硅层形成步骤；以及通过使用所述硅化物层的粒子作为介质，用于执行热处理以于所述非晶形硅层上形成结晶硅的结晶步骤。

主权项

一种制造多晶硅薄膜的方法，所述方法包括：在绝缘衬底上形成金属层的金属层形成操作；通过使所述金属层退火或通过沉积金属氧化物层，在所述金属层的表面上形成所述金属氧化物层的氧化物层形成操作；在所述氧化物层形成操作中所形成的所述金属氧化物层上堆叠硅层的第一硅层形成操作；使用退火工艺，通过使金属催化剂原子由所述金属层移到所述第一硅层来形成硅化物层的第一退火操作；在所述硅化物层上堆叠非晶形硅层的第二硅层形成操作；以及使用退火工艺，通过所述硅化物层的粒子介质，使所述非晶形硅层结晶成结晶硅层的结晶操作。