[发明专利]SOI晶片的检查方法

摘要

本发明是一种SOI晶片的检查方法，所述SOI晶片的检查方法的特征在于：计算量变曲线P1、P2，其中所述量变曲线P1是表示检查对象SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性，所述量变曲线P2是表示与检查对象SOI晶片相比SOI层的膜厚仅减少特定厚度t[nm]、或增加特定厚度t[nm]的SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性，并计算两者的差的量变曲线P3或变化率的量变曲线P4，向检查对象SOI晶片的表面，照射根据该计算出的量变曲线P3或P4内的最大峰值波长λM而选择的波长λ或波段的光，检测来自于该SOI晶片的反射光，将此检测出的反射光的反射强度增加而成为峰值的部分，检测而作为SOI层膜厚的变化所造成的缺陷。由此提供一种SOI晶片检查方法，能以不受SOI晶片表面异物的影响，灵敏地、低成本地检查出SOI晶片的膜厚的变化所造成的缺陷。

主权项

一种SOI晶片的检查方法，所述SOI晶片的检查方法是使用具有照射出可见光波长以上波段的光的光源的光学检查装置，由所述光源向在埋入式绝缘层上形成有SOI层而成的SOI晶片的表面照射光，通过检测来自于所述SOI晶片的反射光来检测所述SOI晶片表面的由于所述SOI层膜厚的增加及减少而变化所造成的缺陷，所述SOI晶片的检查方法的特征在于至少具有下述工序：计算量变曲线P1的工序，所述量变曲线P1是表示所述检查对象SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性；计算量变曲线P2的工序，所述量变曲线P2是表示与所述检查对象SOI晶片相比所述SOI层的膜厚仅减少特定厚度t[nm]、或增加特定厚度t[nm]的SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性；计算所述计算出的量变曲线P1、P2两者的差的量变曲线P3(＝P2‑P1)或量变曲线P1、P2的变化率的量变曲线P4(＝(P2‑P1)/P1)，选择该计算出的量变曲线P3或P4内的最大峰值波长λM周围的波长λ或波段的工序；向所述检查对象SOI晶片的表面照射所述已选择的波长λ或波段的光，检测来自于该SOI晶片的反射光的工序；及，将所述检测出的反射光的反射强度增加而成为峰值的部分，检测为所述SOI晶片表面的所述SOI层膜厚的变化所造成的缺陷的工序。