[发明专利]用于制造LED的MOCVD单一腔室分割工艺无效
| 申请号： | 201080019516.0 | 申请日： | 2010-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN102414845A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | O·克利里欧科 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一实施例中，提供一种用于制造复合氮化物半导体装置的方法，所述方法包含以下步骤：将一个或多个基板安置于包含喷头的金属有机化学气相沉积(MOCVD)腔室的处理区域中的基座上；藉由将第一含镓前体及第一含氮前体经由所述喷头流入所述MOCVD腔室，在所述MOCVD腔室中使用热化学气相沉积工艺将氮化镓层沉积于所述基板上；将一个或多个基板自所述MOCVD腔室移除，而不使所述一个或多个基板暴露于大气；将氯气流入所述处理腔室以自所述喷头移除污染物；在自所述喷头移除污染物之后，将一个或多个基板运送至所述MOCVD腔室中；以及在所述MOCVD腔室中使用热化学气相沉积工艺，将InGaN层沉积于所述GaN层上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 led mocvd 单一 分割 工艺 | ||
【主权项】：
一种用于制造复合氮化物半导体结构的方法，包含以下步骤：使用第一第III族前体及第一含氮前体，在处理腔室中使用热化学气相沉积工艺将第一层沉积于一个或多个基板上，所述第一第III族前体包含第一第III族元素，其中所述第一层包含氮及所述第一第III族元素；在所述沉积第一层之后，将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除，而不使所述一个或多个基板暴露于大气；在所述沉积第一层之后，在将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除之后，使第一清洁气体流入所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物；在自所述处理腔室中移除污染物之后，将所述一个或多个基板运送至所述处理腔室中，而不使所述一个或多个基板暴露于大气；以及使用第二第III族前体及第二含氮前体，在所述处理腔室中使用热化学气相沉积工艺，将第二层沉积于所述第一层上，其中所述第二第III族前体包含所述第一第III族前体未包含的第二第III族元素。
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