[发明专利]具有多个阈值电压的纳米线网的场效应晶体管有效
| 申请号： | 201080021179.9 | 申请日： | 2010-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN102428564A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | J.B.张;P.张;M.A.吉洛恩;J.W.斯莱特 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供基于纳米线的场效应晶体管与其制造技术。在一方面，提供一种场效应晶体管，其具有垂直取向堆叠的多个器件层，各器件层具有源极区、漏极区以及连接该源极区与该漏极区的多个纳米线沟道，其中所述器件层的一个或多个配置成具有与一个或多个其它器件层不同的阈值电压；以及场效应晶体管还具有围绕所述纳米线沟道的一栅极，其对各器件层而言是公共的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 电压 纳米 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：垂直取向堆叠的多个器件层，各器件层具有源极区、漏极区以及连接该源极区与该漏极区的多个纳米线沟道，其中所述器件层的一个或多个配置成具有与一个或多个其它器件层不同的阈值电压；以及围绕所述纳米线沟道的栅极，该栅极对各该器件层而言是公共的。
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