[发明专利]磁通门传感器及使用其的电子方位计无效
| 申请号： | 201080021371.8 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102428380A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 大森贤一;相沢卓也;中尾知 | 申请（专利权）人： | 株式会社藤仓 |
| 主分类号： | G01R33/05 | 分类号： | G01R33/05;G01R33/02;G01C17/30 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;王轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁通门传感器，其特征在于，包含：形成于基板上的第1配线层；以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层；磁芯，该磁芯形成于上述第1绝缘层上，具有中央部分和位于上述中央部分的两端的端部分，该端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度；覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层；形成于上述第2绝缘层上的第2配线层，上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线，上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层和上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接，在上述端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈，在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。 | ||
| 搜索关键词： | 磁通门 传感器 使用 电子 方位 | ||
【主权项】：
一种磁通门传感器，其包含：形成于基板上的第1配线层；以覆盖上述第1配线层的方式形成的第1绝缘层；磁芯，该磁芯形成于上述第1绝缘层上，具有中央部分和位于上述中央部分的两端的第1以及第2端部分，该第1以及第2端部分与上述中央部分连接且具有比上述中央部分的宽度宽的宽度；覆盖上述磁芯且形成于上述第1绝缘层上的第2绝缘层；以及形成于上述第2绝缘层上的第2配线层，该磁通门传感器的特征在于，上述第1配线层以及上述第2配线层具有多个彼此大致平行的配线，上述第1配线层的配线以及上述第2配线层的配线的两端经由上述第1绝缘层以及上述第2绝缘层的被选择性去除的部分而被电连接，在上述第1以及第2端部分卷绕螺旋状的第1电磁线圈，在上述中央部分卷绕螺旋状的第2电磁线圈。
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