[发明专利]成膜方法以及成膜装置无效
| 申请号： | 201080021651.9 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN102428209A | 公开（公告）日： | 2012-04-25 |
| 发明（设计）人： | 森本直树;滨口纯一;堀田和正;武田直树 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/38;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 杨晶;王琦 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种在被处理体的表面形成覆膜的成膜方法。在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材；并且向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在0.3Pa以上且10.0Pa以下的范围内，且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体；控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并使其沉积，以形成所述覆膜。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
一种成膜方法，在被处理体的表面形成覆膜，其特征在于，在腔室内对置配置靶与所述被处理体，产生使垂直的磁力线从所述靶的溅射面朝向所述被处理体的被成膜面以规定的间隔局部通过的磁场，所述靶成为所述覆膜的母材，向所述腔室内导入溅射气体，将所述腔室内的气压控制在0.3Pa以上且10.0Pa以下的范围内，并且向所述靶施加负的直流电压，从而在所述靶与所述被处理体之间的空间产生等离子体，控制通过对所述靶进行溅射而产生的溅射粒子的飞行方向，并且将所述溅射粒子向所述被处理体诱导并沉积，以形成所述覆膜。
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