[发明专利]用于优化形成引线环路的成环参数和成环轨迹的系统和方法有效
| 申请号： | 201080022381.3 | 申请日： | 2010-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN102439706A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 秦巍;雷·L·凯斯卡特;黄强;迪帕克·索德;保罗·W·苏克罗;约瑟夫·O·丁格洛 | 申请（专利权）人： | 库力索法工业公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 美国宾夕*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法。所述方法包括以下步骤：(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；(2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值；(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数；(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路；(5)测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤(4)中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值；以及(6)将在步骤(5)中测量的所述实际成环控制值与步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 优化 形成 引线 环路 参数 轨迹 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种形成与半导体封装相关的引线环路的方法，所述方法包括以下步骤：(1)将与所述半导体封装相关的封装数据提供至引线接合机；(2)将与所需引线环路相关的至少一个成环控制值提供至所述引线接合机，所述至少一个成环控制值包括与所述所需引线环路相关的至少一个环路高度值；(3)利用算法得出用于形成所述所需引线环路的成环参数；(4)利用在步骤(3)中得出的所述成环参数在所述引线接合机上形成第一引线环路；(5)测量与所述至少一个成环控制值相对应的、在步骤(4)中形成的所述第一引线环路的实际成环控制值；以及(6)将在步骤(5)中测量的所述实际成环控制值与步骤(2)中提供的所述至少一个成环控制值进行比较。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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