[发明专利]成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备有效

专利信息
申请号: 201080022420.X 申请日: 2010-05-21
公开(公告)号: CN102439077A 公开(公告)日: 2012-05-02
发明(设计)人: 星慎一;伊藤雅春;上村和惠;铃木悠太 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: C08J7/00 分类号: C08J7/00;B32B27/16;G02F1/1333;H01L31/042;H05B33/04;H05B33/14
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 孙秀武;高旭轶
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及具有由含O原子、C原子和Si原子的材料构成的阻气层的成型体,上述阻气层具有自表面起朝着深度方向层中的O原子的存在比例逐渐减少、C原子的存在比例逐渐增加的区域,上述区域包含相对于O原子、C原子和Si原子的总存在量,O原子的存在比例为20-55%、C原子的存在比例为25-70%、Si原子的存在比例为5-20%的部分区域,和O原子的存在比例为1-15%、C原子的存在比例为72-87%、Si原子的存在比例为7-18%的部分区域;本发明还涉及具有向含聚硅烷化合物的层中注入离子而得到的阻气层的成型体;其制造方法;包括该成型体的电子设备用构件;以及具备该电子设备用构件的电子设备。根据本发明,提供阻气性、耐弯折性、密合性和表面平滑性优异的成型体,其制造方法,电子设备用构件和电子设备。
搜索关键词: 成型 制造 方法 电子 备用 构件 电子设备
【主权项】:
成型体,其是具有由至少含有氧原子、碳原子和硅原子的材料构成的阻气层的成型体,其特征在于,上述阻气层含有区域(A),所述区域(A)为自表面起朝着深度方向,层中的氧原子的存在比例逐渐减少,碳原子的存在比例逐渐增加的区域,上述区域(A)具有:相对于氧原子、碳原子和硅原子的总存在量,氧原子的存在比例为20‑55%,碳原子的存在比例为25‑70%,硅原子的存在比例为5‑20%的部分区域(A1),和氧原子的存在比例为1‑15%,碳原子的存在比例为72‑87%,硅原子的存在比例为7‑18%的部分区域(A2)。
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