[发明专利]传感器、半导体基板、和半导体基板的制造方法有效
申请号: | 201080022788.6 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN102449784A | 公开(公告)日: | 2012-05-09 |
发明(设计)人: | 秦雅彦;高田朋幸;山中贞则;板谷太郎 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社;独立行政法人产业技术综合研究所 |
主分类号: | H01L31/10 | 分类号: | H01L31/10;G01J1/02;H01L27/14;H01L35/32 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明公开了一种传感器,具有:含硅的基底基板,在基底基板的上方设置的晶种体、以及,与晶种体晶格匹配或准晶格匹配,且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体,光热吸收体,按照入射到光热吸收体的入射光或施加到光热吸收体的热度而输出电信号。同时,提供半导体基板,具有:含硅的基底基板、在基底基板的上方形成,具有露出基底基板表面的开口,阻碍结晶生长的阻碍体、在开口内部设置的晶种体、与晶种体晶格匹配或准晶格匹配,由吸收光或热度而生成载流子的3-5族化合物半导体构成的光热吸收体。 | ||
搜索关键词: | 传感器 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种传感器,具有:含硅的基底基板、在所述基底基板的上方设置的晶种体、以及与所述晶种体晶格匹配或准晶格匹配,且由吸收光或热生成载流子的3至5族化合物半导体组成的光热吸收体,所述光热吸收体,按照入射到所述光热吸收体的入射光或施加到所述光热吸收体的热度而输出电信号。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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