[发明专利]用于半导体晶片上的液体弯月面的物理限制的方法及装置

摘要

用于物理限制施加在半导体晶片上的液体介质的装置、方法和系统，包括配置为覆盖半导体晶片顶部和底部表面至少部分的第一和第二化学头。第一和第二化学头的每个包括在各自化学头前沿的成角度的入口管道以将液体化学品单相输送到弯月面袋中。由化学头覆盖的半导体晶片顶部和底部表面的部分来界定弯月面袋，并配置为接收和容纳作为弯月面施加到半导体晶片表面的液体化学品。沿第一和第二化学头前沿的弯月面袋的外围形成阶，以基本将液体化学品的弯月面限制在弯月面袋中。所述阶覆盖弯月面袋的至少部分，阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征。内部返回管道界定在各自化学头后沿的弯月面袋内，用以在清洁过程后单相去除半导体晶片表面的液体化学品。

主权项

用于物理限制在半导体晶片上的液体弯月面的装置，其包括：第一化学头和第二化学头，所述第一化学头和第二化学头设置为覆盖所述半导体晶片的顶部表面和底部表面的至少一部分，所述第一化学头和第二化学头中的每一个都包括：成角度的入口管道，其在前沿处以将液体化学品单相输送到弯月面的袋中，所述弯月面的袋界定在由所述第一化学头和所述第二化学头覆盖的所述半导体晶片的所述顶部表面和底部表面的所述一部分上以容纳作为弯月面施加到所述半导体晶片表面上的液体化学品；内部返回管道，其位于所述第一化学头和所述第二化学头的后沿处并在所述弯月面的袋内，以便单相去除所述半导体晶片表面的所述液体化学品；阶，其沿所述弯月面的袋的外围的至少一部分在所述第一化学头和所述第二化学头的前沿形成，以基本上将所述液体化学品的所述弯月面限制在所述弯月面的袋中，所述阶的高度足以保持所述弯月面的限制特征，其中所述入口管道与所述阶是间隔开的。