[发明专利]制造用于有机发光二极管装置的具有纹理化表面的结构的方法、以及具有纹理化表面的结构无效
| 申请号： | 201080023315.8 | 申请日： | 2010-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN102449802A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | F-J·韦尔默施;H·加斯孔;S·贝松 | 申请（专利权）人： | 法国圣-戈班玻璃公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;C03C17/25 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | 一种用于制造具有纹理化表面(20)的结构的方法，其包括由具有给定纹理(10c)的矿物玻璃制得的基底(10)，用于有机发光二极管装置，其特征在于该方法包括：提供粗糙基底(10)，在具有0.8mm截止频率的高斯滤波的15mm的分析长度上，粗糙基底(10)的粗糙体(10c)被限定为粗糙度参数Ra为1-5μm；和，在基底上沉积液相二氧化硅平滑薄膜(2)，所述薄膜用于使粗糙体(10c)足够平滑，以及形成该结构的纹理化表面(20)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 用于 有机 发光二极管 装置 具有 纹理 表面 结构 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于制造具有纹理化表面(20)的结构的方法，该结构包括由具有给定纹理(10c)的矿物玻璃制得的基底(10)，以用于有机发光二极管装置，其特征在于该方法包括：‑提供粗糙的基底(10)，在具有0.8mm截止频率的高斯滤波的15mm的分析长度上，其粗糙体(10c)被限定为粗糙度参数Ra介于1‑5μm；和‑在所述基底上沉积液相二氧化硅平滑薄膜(2)，所述薄膜用于使粗糙体(10c)足够平滑，以及形成所述结构的纹理化表面(20)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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