[发明专利]用于后续高温第三族沉积的基材预处理无效
| 申请号： | 201080023547.3 | 申请日： | 2010-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102449743A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | Y·梅尔尼克;O·克利里欧科;H·科吉里;石川哲也 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/20;H01L33/02;H01S5/30 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆嘉;管琦琦 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的实施例涉及制造诸如发光二极管(LEDs)或激光二极管(LDs)的器件的基材预处理设备与方法。本发明的一个实施例包括通过将含氧化铝基材的表面暴露于预处理气体混合物来预处理含氧化铝基材，其中预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 后续 高温 第三 沉积 基材 预处理 | ||
【主权项】：
一种形成III族金属氮化物薄膜的方法，包括：加热一个或多个蓝宝石基材至预处理温度；以及当所述一个或多个蓝宝石基材各自的表面在所述预处理温度时，将所述表面暴露于预处理气体混合物以形成预处理表面，其中所述预处理气体混合物包括氨(NH3)与卤素气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
