[发明专利]制造碳化硅衬底的方法和碳化硅衬底无效
| 申请号： | 201080023692.1 | 申请日： | 2010-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN102449732A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;增田健良;佐佐木信;原田真;并川靖生;藤原伸介 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 韩峰;孙志湧 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅衬底制造方法，所述方法提供有以下步骤：准备包括碳化硅的基底衬底(10)以及包括单晶碳化硅的SiC衬底(20)；在基底衬底(10)的主表面上形成包括硅的Si膜(30)；通过将SiC衬底(20)放置在Si膜(30)的顶部上以便使所述SiC衬底(20)与所述Si膜(30)接触来制造堆叠的衬底；以及通过加热所述堆叠的衬底，至少使Si膜(30)中的与基底衬底(10)接触的区域和与所述SiC衬底(20)接触的区域转换成碳化硅，来将基底衬底(10)和SiC衬底(20)接合。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造碳化硅衬底(1)的方法，包括以下各步骤：准备由碳化硅制成的基底衬底(10)和由单晶碳化硅制成的SiC衬底(20)；形成Si膜(30)，所述Si膜(30)由硅制成，并且所述Si膜(30)在所述基底衬底(10)的主表面上且与所述主表面接触；通过将所述SiC衬底(20)放置在所述Si膜(30)上并且使所述SiC衬底(20)与所述Si膜(30)接触来制造堆叠衬底；以及通过加热所述堆叠衬底以至少使所述Si膜(30)中的与所述基底衬底(10)接触的区域以及与所述SiC衬底(20)接触的区域转换成碳化硅，来使所述基底衬底(10)和所述SiC衬底(20)彼此连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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