[发明专利]太阳能电池装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201080023970.3 | 申请日： | 2010-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN102449780A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | 李东根;池奭宰 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;林锦辉 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种太阳能电池装置及其制造方法。该太阳能电池装置包括：衬底；电极层，该电极层在所述衬底上并且具有第一通孔；光吸收层，该光吸收层在所述电极层上并且具有第二通孔；以及窗口层，该窗口层在所述光吸收层上并且具有与第二通孔重叠的第三通孔。由于第二通孔与第三通孔重叠，因此减小了作为无源区的死区的面积，从而提高了太阳能电池装置的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池装置，包括：衬底；电极层，该电极层在所述衬底上并且具有第一通孔；光吸收层，该光吸收层在所述电极层上并且具有第二通孔；以及窗口层，该窗口层在所述光吸收层上并且具有与第二通孔重叠的第三通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
