[发明专利]电沉积的金纳米结构有效
| 申请号： | 201080024330.4 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN102449203A | 公开（公告）日： | 2012-05-09 |
| 发明（设计）人： | S·巴尔加瓦;S·J·伊波利托;Y·M·萨布里 | 申请（专利权）人： | 皇家墨尔本理工大学 |
| 主分类号： | C25D3/48 | 分类号： | C25D3/48;C25D3/02;C25D17/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东;谭邦会 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 澳大利亚;AU |
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| 摘要： | 一种汞蒸汽感测元件，其中该感测元件的表面是金衬底，具有受控制的结晶小面的金纳米结构与该衬底牢固粘结。利用该感测元件表面，能够显著增加基于石英晶体微量天平(QCM)的汞蒸汽感测元件的响应量和稳定性。一种在金衬底上形成金纳米结构的方法，其包括以下步骤：由四卤化金酸(III)或四卤化金酸碱金属盐(III)和添加剂如乙酸铅的溶液，在20-40℃的电沉积温度和至少15秒的沉积时间下将金电沉积在金工作电极上。由沉积溶液的组成、温度和电流密度来控制生长。可以改变沉积速率，以便使沉积时间优选为约150秒，但是其也可以长达15分钟。优选的沉积溶液包含2.718g/l的四卤化金酸(III)水合物和0.1-0.5g/l的乙酸铅。 | ||
| 搜索关键词： | 沉积 纳米 结构 | ||
【主权项】：
一种在金衬底上形成金纳米结构的方法，其包括以下步骤：在介于20和40℃的电沉积温度和至少15秒的沉积时间下，由四卤化金酸(III)或四卤化金酸碱金属盐(III)和生长指向添加剂的溶液，将金电沉积在金工作电极上。
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