[发明专利]半导体封装基板用铜箔及半导体封装用基板在审
| 申请号： | 201080024403.X | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102459703A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | 赤濑文彰 | 申请（专利权）人： | 吉坤日矿日石金属株式会社 |
| 主分类号： | C23C30/00 | 分类号： | C23C30/00;B32B15/04;B32B15/08;C25D9/08;C25D11/38 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装基板用铜箔，其包含：在作为与树脂胶粘的胶粘面的铜箔的粗糙化面上形成的铬酸盐处理层或者包含锌或氧化锌以及铬氧化物的覆盖层、以及硅烷偶联剂层。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，所述铬酸盐被膜层的Cr量为25-150μg/dm2，Zn量为150μg/dm2以下。所述半导体封装基板用铜箔，其特征在于，作为硅烷偶联剂层，在硅烷偶联剂层中包含四烷氧基硅烷和至少一种以上的具备与树脂具有反应性的官能团的烷氧基硅烷。本发明的课题在于确立一种铜箔的电解处理技术，其在将铜箔与树脂基材层叠并使用硫酸系蚀刻液对电路进行软蚀刻时，可以有效防止电路侵蚀现象。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 基板用 铜箔 用基板 | ||
【主权项】：
一种半导体封装基板用铜箔，其包含：在作为与树脂胶粘的胶粘面的铜箔的粗糙化面上形成的铬酸盐处理层或者包含锌或氧化锌以及铬氧化物的覆盖层、以及硅烷偶联剂层。
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