[发明专利]在半导体发光器件上形成电介质层的方法有效
| 申请号： | 201080024817.2 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102460737A | 公开（公告）日： | 2012-05-16 |
| 发明（设计）人： | R.I.阿尔达茨;J.G.内夫 | 申请（专利权）人： | 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司;皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/38;H01L33/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 谢建云;刘鹏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 形成一种半导体结构，其包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层。第一金属接触形成于一部分的n型区域上并且第二金属接触形成于一部分的p型区域上。第一和第二金属接触形成于半导体结构的同一侧。电介质材料布置在第一和第二金属接触之间。电介质材料直接接触一部分的半导体结构、一部分的第一金属接触和一部分的第二金属接触。形成平坦表面，其包括第一金属接触的表面、第二金属接触的表面和电介质材料的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 形成 电介质 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成半导体结构，该半导体结构包括布置在n型区域和p型区域之间的发光层；在一部分的n型区域上形成第一金属接触以及在一部分的p型区域上形成第二金属接触，其中该第一和第二金属接触形成于该半导体结构的同一侧；以及在该第一和第二金属接触之间布置电介质材料，其中该电介质材料直接接触一部分的半导体结构、一部分的第一金属接触和一部分的第二金属接触；以及形成平坦表面，该平坦表面包括该第一金属接触的表面、该第二金属接触的表面和该电介质材料的表面。
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